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SI1900DL-T1-E3中文资料

SI1900DL-T1-E3图片

SI1900DL-T1-E3外观图

  • 大小:105KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, SC-70; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:630mA; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.48ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:590mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:480 毫欧 @ 590mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:1.4nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:-
  • 功率 - 最大:270mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装:SC-70-6
  • 包装:带卷 (TR)

SI1900DL-T1-E3供应商

更新时间:2023-01-06 02:58:48
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